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    系统层级与芯片层级静电放电的差异性
    加入时间:2015-06-10
        现在静电放电已经成为影响电子产品质量的一个非常主要的因素,根据美国最近公布的数据,单就因为静电放电造成的国家损失就高达200亿美元之多,所有有效防范静电放电,是非常迫切的任务。为了防范静电放电的危害,众多静电放电协会根据不同的环境制定了不同的静电放电测试规范,可以分为芯片层级静电放电测试和系统层级经典放电,那么两者有何差别呢?
        1、模型电容电阻值规范不同
        芯片层级静电放电模型为对一个100pF电容充电后透过一串联1.5kΩ电阻对待测物放电。而系统层级静电放电模型为对一个150pF电容充电后透过一串联330Ω电阻放电。由此可以看出在相同的静电电压下,系统层级静电放电模型将会具有较多的电荷容量和较大的放电电流,其放电能量约为芯片层级静电放电能量的五倍之多,因此系统层级静电放电测试将会比芯片层级静电放电测试还要更严苛。而会如此规范的原因是,生产厂商都会做工厂静电消除管理,所以IC在制造生产的过程中受到静电的威胁较小。而电子产品用户所处的环境却是不受控制的,因此受到静电放电的威胁较大,这也是为什么系统层级静电放电规范会制定的如此严格。
        2、要求的静电放电电压等级不同
    一般IC只会要求到芯片层级静电放电测试±2kV,而电子产品会要求到系统层级静电放电接触测试±8kV,空气放电±15kV。会这样规范的主要原因也是电子产品所处的环境是比IC所处的环境还要更严苛。
        3、测试的失效准则不同
        芯片层级静电放电测试是在IC针脚浮接的状态下做测试,一般造成的损害为硬件的损害。而系统层级静电放电测试是在电子产品上电运作的状态,除了可能造成硬件的损害,也有可能造成当机或系统运作不稳定的情况。系统层级静电放电测试的失效问题是比芯片层级静电放电测试还要多更多。
        以上就是系统层级静电放电和芯片层级静电放电的基本差异,可以发现不论是在放电能量、静电电压和失效准则,系统层级都较芯片层级静电放电要求更严格。

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